新型V-Die与MOSAIC内存方案亮相 侧立DRAM设计显著提升AI计算带宽与散热效率

在近期举行的IEEE/JSAP超大规模集成电路技术研讨会上，研究人员提出了两种旨在突破当前高带宽内存（HBM）技术瓶颈的新型解决方案。据悉，这两种方案的核心创新在于将DRAM芯片从传统的向上堆叠改为侧立放置，以应对高堆叠带来的散热挑战。

其中，V-Die方案通过竖直放置DRAM裸片，并采用底边I/O连接替代硅通孔，同时集成液冷通道。仿真数据显示，该方案在等容量下连接数量可达HBM4的4倍，读取时间降低37%，并将首Token时延降低约32%。微流体冷却技术还能将堆叠温度稳定在约45°C。

另一种名为MOSAIC的方案，则侧重于提升侧立堆叠的制造可行性。它采用正交堆叠与无接触互连技术，利用微型感应线圈传输信号。据悉，其原型接口速率最高达4 Gbps每通道，并有望实现HBM4两倍的内存容量。相关演示显示，其堆叠对准误差控制在6微米以内，热导率可达传统堆叠的3倍。