单卡轻松216GB！三星宣布下一代HBM3E高带宽内存

在加州圣何塞举办的年度存储技术大会上，三星披露了下一代HBM3E的情况，相比现有HBM3在容量、频率、带宽方面都有了巨大的提升。

三星HBM3E内存采用 基于EUV极紫外光刻工艺的第四代10nm级工艺制造，确切地说是14nm。

单Die容量可达24Gb，8颗堆叠就是24GB，12颗堆叠就是36GB，相比HBM3增加了一半。

等效频率可达9.8GHz ，同样提升一半，领先SK海力士的9GHz、美光的9.2GHz，单颗芯片的带宽可以做到1-1.1225TB/s。