SK海力士全球首创321层闪存！三星：明年我就超300层

8月份，SK海力士全球首家宣布了321层堆叠的NAND闪存，首次突破300层 ，但是要到2025年上半年才会量产。

一直处于存储一哥位置的三星坐不住了，因为原本规划2024年量产的第9代V-NAND闪存只有280层左右，2025-2026年的第10代则突破到430层以上。

被反超显然是三星不能忍的。

三星电子存储业务总裁李荣培(Jung-bae Lee)最新披露， 第9代V-NAND进展顺利，将在明年初量产，基于双堆栈架构，达成业界最高堆叠层数。