快科技10月18日消息,根据韩国媒体今天的报道, 三星已经确认将其第5带HBM3E产品命名为“Shinebolt” 。随着三星加快对HBM3E的开发和营销,其有望追上SK海力士在该领域的步伐。
HBM属于垂直连接多个DRAM,与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。 由于其性能优势,HBM通常被认为是人工智能时代的DRAM内存 。
HBM DRAM产品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的顺序开发,其中HBM3E是HBM3的扩展版本。
据相关人士透露, 三星已经开始向客户提供Shinebolt样品来进行质量测试,该样品的规格为8层24GB 。此外,三星还将很快完成12层36GB产品的开发。
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