三星存储芯片领域最新突破 将在硅谷举办三星存储器技术日活动

【太平洋科技资讯】近日，三星电子存储业务主管李政培透露，该公司已经成功生产出基于第九代V-NAND闪存产品的样品，并计划在明年初实现量产。同时，三星还在开发行业领先的11nm级DRAM芯片。为了实现这些目标，三星正在为DRAM开发3D堆叠结构和新材料，而对于NAND闪存，三星则通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。

李政培指出，在即将到来的10nm以下DRAM和超过1000层的V-NAND芯片时代，新结构和新材料将变得非常重要。此外，AI芯片对于三星电子来说也至关重要。该公司已经开始生产HBM3高性能内存芯片，并正在开发下一代HBM3E。三星希望为客户生产“定制”的HBM芯片，以满足超级规模AI等新应用的需求。

为了进一步展示其最新的存储器芯片技术和产品，三星电子将于10月20日在硅谷举办三星存储器技术日2023活动。通过这些最新的开发进展，三星电子将为未来科技发展注入新动力。其在存储芯片领域的突破将推动数据存储和处理能力的提升，为人工智能、物联网等领域的发展提供更强大的支持。

【知多D】

DXOMARK官方公布了三星Galaxy S23 Ultra的影像测试结果，该机的影像测试总分为140分，排名第10。