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美国无限期豁免后 三星将升级西安工厂NAND芯片工艺至236层

快科技10月16日消息,根据此前的相关报道, 三星和SK海力士获得美国无限期豁免,不需要特别的许可批准,即可为其在中国的工厂安装带有美国技术的制造设备

对于三星来说这无疑是一个好消息,在取得豁免后三星也确实在采取相应措施。据Business Korea今天的报道, 三星电子决定将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺

报道显示,三星已开始采购最新的半导体设备,新设备预计将在2023年底交付,并于2024年在西安工厂陆续引进可生产236层(第8代)NAND的设备。

三星决定升级其西安工厂的原因主要由两个:

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