美光推出业界首款HBM3 Gen2内存：带宽超过1.2TB/s

快科技7月27日消息， 美光宣布推出业界首款8层24GB HBM3 Gen2内存芯片。

据了解， 这款内存芯片总带宽超过1.2TB/s，引脚速度超过9.2Gb/s，比HBM3提高50%。

美光表示， HBM3 Gen2产品的每瓦性能是前几代产品的2.5倍 ，为人工智能（AI）数据中心的性能、容量和功率效率等关键指标创造了新的记录，可以减少GPT-4等大型语言模型的训练时间，并提供了卓越的总拥有成本（TCO）。

HBM3 Gen2的解决方案的基础是1β（1-beta）工艺，在行业标准封装尺寸内将24GB DRAM芯片组成了8层垂直堆叠的立方体。