三星3nm芯片工艺良率已达60% 超过台积电

【太平洋科技资讯】据 Hi Investment & Securities 机构近日发布的报告，Samsung Foundry 在 3nm 工艺上的良率达到了 60%，高于台积电（55%）。

报道指出，三星一直致力于发展3nm工艺，并不断提升生产工艺和良率。目前，三星的良率已经达到了60%，该媒体认为在超先进芯片制造技术方面，三星有望超过台积电。

报告中也指出三星目前在 4nm 工艺方面良率为 75%，和台积电（80%）存在差距，不过通过发力 3nm，三星有望在未来超过台积电。

报告中还指出由于台积电的大部分订单都被苹果预订，英伟达、高通等公司都对三星的第二代 3nm（SF3）工艺感兴趣。

据此前报道，Samsung Foundry 在 SFF 2023 上公布了最新工艺技术路线图，计划在 2025 年推出 2 纳米级的 SF2 工艺，2027 年推出 1.4 纳米级的 SF1.4 工艺。同时，三星还公布了 SF2 工艺的一些特性。

三星与台积电的竞争日益激烈，目前三星3nm芯片工艺良率超过台积电，但4nm方面还存在差距，你认为未来三星总体上超越台积电的可能性有多少呢？

【知多D】

据韩媒etnews消息，三星电子最终还是撤销了在23年下半年发布的新款折叠屏手机中嵌入SPen的计划，主要原因还是对内部空间产生了影响。