10nm以下最强候选 中国半导体性单壁碳纳米管获突破

快科技4月13日消息，当前的硅基半导体芯片在10nm工艺之后面临更大的困难，学术界一直在研发碳基芯片取代硅基芯片，碳纳米管被称为10nm以下最强候选，我国科学家在半导体性单壁碳纳米管研究上获得突破。

中国科学报援引西北工业大学材料学院消息，该校教授赵廷凯团队对半导体性单壁碳纳米管的可控制备进行深入研究，提出一种新的多循环生长工艺， 选择性合成的半导体性单壁碳纳米管丰度高达93.2%，产率从0.76%提高到1.34%， 为大规模合成高纯度半导体性单壁碳纳米管提供了新方法。

相关研究成果《通过催化剂再生多循环工艺生长高纯度与高产率半导体性单壁碳纳米管》正式发表于最新一期《化学工程》杂志。

传统制备方法获得的单壁碳纳米管，通常是金属性和半导体性单壁碳纳米管的混合物，并难以分离，严重阻碍了其广泛应用。