国产闪存刚进入232层 三星加码推进新一代：直奔430层

在闪存领域，中国公司追赶国际先进水平的速度很快，长江存储去年推出的新一代代晶栈3.0闪存实际上已经做到了232层，不比美光、三星的3D闪存差，只是低调运行，没有公开宣传。

三星当然也不会等着被追上，2021年量产的第七代3D闪存做到了176蹭，去年11月份推出了第八代3D闪存没有明确层数，但是业界估计是238层， 而且密度是1Tb的，也是当前存储密度最高的TLC闪存。

再往后三星还准备了更高层数的闪存，预计2024年推出第九代3D闪存，堆叠层数提升到280层。

再往后的第十代3D闪存则会跳过300层 ，直接进入了430层，目标非常激进，预计会在2025-2026年量产，保持两年一次大升级的节奏。