首页 > 热点播报 > 正文

台积电3nm N3彻底露馅了!对比5nm N5几乎毫无差别

虽然谁都不愿意承认摩尔定律已死,但是制程工艺的提升越来越难了,台积电就在3nm上遇到了极大的麻烦。

台积电曾经宣称,3nm N3工艺相比于5nm N5可将集成密度增加60-70%之多。

但是,台积电的最新一份论文中承认, N3工艺的SRAM单元的面积为0.0199平方微米,相比于N5工艺的0.021平方微米只缩小了区区5%!

更糟糕的是,所谓的第二代3nm工艺N3E,SRAM单元面积为0.021平方微米,也就是和N5工艺毫无差别!

网友评论

三日内热门评论文章
热门IT产品
  1. ¥7599
    苹果iPhoneX 64GB
    ·
  2. ¥5799
    三星S9
    ·
  3. ¥4498
    vivo NEX旗舰版
    ·
  4. ¥4999
    OPPO Find X
    ·
  5. ¥1799
    努比亚Z18mini
    ·
  6. ¥1499
    OPPO A5
    ·
  7. ¥1999
    荣耀Play(4GB RAM)
    ·
  8. ¥1598
    vivo Y85
    ·
  9. ¥3499
    坚果R1(6GB RAM)
    ·
  10. ¥3599
    一加6(8GB RAM)
    ·