台积电3nm N3彻底露馅了！对比5nm N5几乎毫无差别

虽然谁都不愿意承认摩尔定律已死，但是制程工艺的提升越来越难了，台积电就在3nm上遇到了极大的麻烦。

台积电曾经宣称，3nm N3工艺相比于5nm N5可将集成密度增加60-70％之多。

但是，台积电的最新一份论文中承认， N3工艺的SRAM单元的面积为0.0199平方微米，相比于N5工艺的0.021平方微米只缩小了区区5％！

更糟糕的是，所谓的第二代3nm工艺N3E，SRAM单元面积为0.021平方微米，也就是和N5工艺毫无差别！