三星电子计划5月生产首批HBM4E内存性能样品 为2027年供应做准备

据悉，三星电子计划于5月开始生产首批HBM4E内存性能样品，为2027-2028年的供应做准备。

三星电子在今年早些时候的NVIDIA GTC 2026上展示了HBM4E内存，其每Pin数据传输速率可达16Gbps，整体带宽达4.0TB/s。不过业内人士认为当时的样品仅是技术演示。

HBM4E将采用1c nm DRAM Die和4nm Base Die工艺，但会在工艺细节上有所改进。