美光高管预警2026年DRAM供应紧张 HBM产能挤压与市场需求激增并存

美光科技首席商务官Sumit Sadana近日表示，2026年DRAM内存供应将面临更严峻局面。HBM内存生产消耗晶圆量是传统DRAM的三倍，导致主要内存厂商产能大量转向HBM。

新建DRAM晶圆厂的时间和资金成本攀升，短期内难以实现大规模产能扩张。美光计划2026年小批量出货HBM4内存，并提升在HBM市场的占有率。

从智能手机到汽车等各行业对DRAM的需求持续增长，平均搭载量不断提升。为满足客户需求，美光决定延长DDR4内存的生产周期。