联发科宣布首款2nm芯片将于9月流片 有望带来15%性能提升

【太平洋科技快讯】5月20日，联发科首席执行官蔡力行在台北电脑展(COMPUTEX)的主题演讲中宣布，其首款2nm制程芯片将于今年9月进入流片阶段，相较于目前的3nm制程，2nm制程将带来15%的性能提升和25%的功耗降低。

根据爆料信息，联发科计划在今年9月发布的天玑9500仍然采用台积电3nm制程，而明年下半年推出的天玑9600将升级至台积电2nm工艺。 这意味着天玑9600有望成为市场上首款采用2nm制程的芯片，领先于苹果和高通等竞争对手。

台积电最新的2nm制程工艺采用了全新的GAAFET(全环绕栅极场效应晶体管)架构。相较于传统的FinFET架构，GAAFET架构通过将纳米片结构完全包裹在栅极材料中，大幅提升了晶体管密度，有效降低了漏电现象，并显著改善了功耗表现。

消息称，台积电2nm晶圆的成本将比3nm晶圆高出10%。这将直接导致终端旗舰产品的价格上涨。据悉，芯片成本通常占手机总成本的20%-30%，2nm芯片的引入可能导致手机售价上涨5%-10%。去年3nm芯片的推出已使部分旗舰手机价格上涨200-500元，2nm时代预计涨幅将更大。