仅次于光刻！我国突破氢离子注入核心技术 100％国产

快科技9月11日消息，据国家电力投资集团官方消息，近日， 集团所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司核力创芯暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心，完成了首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。

这标志着，我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。

工程师进行晶圆离子注入生产

氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节 ，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用。