台积电N3P工艺来了 良率接近N3E 性能提升功耗降低

【太平洋科技资讯】台积电的春季技术研讨会展示了该公司工艺技术的持续进步。作为该公司向更小、更高效能芯片设计迈进的最新一步，N3P工艺技术已完成资格认证，预计将在今年下半年投入生产。

台积电的N3P工艺采用光学微缩技术，相比与N3B的宽松版本N3E，它以比N3E更低的成本提供了更高的性能效率。这一微缩技术有望在相同漏电情况下将性能提高4%，或者在相同时钟频率下将功耗降低9%。这种改进对于处理器开发人员来说无疑是一个巨大的吸引力，尤其是在当前能源效率至上的芯片设计环境中。

台积电的N3P工艺与之前的N3E一样，具有与旧节点同一点的缺陷率相当的D0缺陷密度。这表明台积电在开发最后一代、更精细的FinFET技术方面取得了显著的进步。尽管N3P在某些方面牺牲了一些晶体管密度，但通过消除EUV层和使用一些避免EUV双图案的方法，生产成本得到了显著降低，同时工艺窗口和产量也有所扩大。

台积电的一位高管在活动中表示：“我们已经看到客户产品的出色产量表现，因此他们确实按计划进入了市场。”这表明，随着N3P工艺的成熟和稳定，客户已经开始将其应用于实际生产中。

值得注意的是，尽管N3(又名N3B)的生命周期相对平静，只有苹果公司作为其主要客户，但随着N3E的推出，这一情况正在改变。N3E是N3B的宽松版本，旨在通过消除一些EUV层和使用新的技术来提供更高的性能和效率。这一变化吸引了广泛的客户，其中包括许多业界最大的芯片设计商。

台积电预计，随着N3P工艺的推出，大部分新流片将选择使用这一更高效的技术。N3P与N3E和N3在IP模块、工艺规则、电子设计自动化(EDA)工具和设计方法方面具有高度的兼容性，这使得设计人员更容易过渡到新的工艺技术。此外，N3P有望在今年下半年投入生产，预计芯片设计人员将立即采用它。

台积电的下一代工艺技术N3P以其成熟的制程优势，预计将在今年下半年投入生产。这一技术的推出将为处理器开发人员提供更大的性能和效率提升，同时也为台积电的客户提供更广泛的选择。随着更多客户开始采用这一新技术，我们期待看到工艺技术的持续进步和芯片设计的创新，或许这也能改变大众对于台积电N3节点提升不大的看法。