【太平洋科技资讯】近日,据市场分析机构集邦咨询表示,DRAM内存芯片和内存条、NAND闪存和SSD硬盘正在新一轮的上涨周期中加速狂奔。集邦咨询在最新报告中大幅上调了二季度的价格涨幅预期,尤其是内存。
近期,一场花莲大地震成为了市场的一个转折点。在地震之前,内存和闪存的现货价格和交易量持续走低,上涨动力不足,主要是由于全球智能手机、笔记本市场需求疲软,PC厂商库存也逐渐增加,买方并不愿意接受连续涨价。然而,地震之后,PC厂商出于各种考虑开始接受内存、闪存合约价大幅上涨,尤其是到了4月底,新一轮的合约价谈判陆续完成,涨幅超过了此前预期。
分析认为,这一变化的主要原因是买方的需求意愿增加,以及AI需求的持续强劲。随着AI技术的不断发展,其对内存和闪存的需求也在不断增长。尤其是HBM高带宽内存,其需求旺盛,原厂纷纷扩产。例如,三星的HBM3E使用了先进的1α工艺,第三季度将大幅扩产,预计到今年底这部分产能将占到大约60%,这无疑会进一步加剧DDR5的产能压力,从而推动内存价格的上涨。
此外,AI推理服务器在节能方面的考虑也推动了市场变化。企业级的QLC SSD正在逐渐取代消费级的NAND闪存,这也导致了QLC SSD的产能过剩,进一步加剧了消费级NAND闪存的紧缺。新一轮的内存和闪存价格上涨周期仍在持续,而AI技术的快速发展和市场需求的变化正在推动这一趋势。对于PC厂商和消费者来说,未来的市场形势仍存在许多不确定性。
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