快科技5月8日消息,三星宣布, 3nm芯片顺利流片,为芯片的大规模量产做好了准备。
据悉,三星与Synopsys公司合作,双方对整个芯片制造过程进行微调,从而最大限度提升芯片良率。
这是三星第一款3nm芯片, 它采用Gate All Around(GAA)工艺,三星GAA设计被称为MCBFET,即多信道桥式FET。
三星称,与传统3nm芯片相比,自家3nm GAA设计的产品功率损耗可降低50%,性能也将得到改善,与之前的4nm FinFET工艺相比,能效和密度有着20%至30%的提升。
快科技5月8日消息,三星宣布, 3nm芯片顺利流片,为芯片的大规模量产做好了准备。
据悉,三星与Synopsys公司合作,双方对整个芯片制造过程进行微调,从而最大限度提升芯片良率。
这是三星第一款3nm芯片, 它采用Gate All Around(GAA)工艺,三星GAA设计被称为MCBFET,即多信道桥式FET。
三星称,与传统3nm芯片相比,自家3nm GAA设计的产品功率损耗可降低50%,性能也将得到改善,与之前的4nm FinFET工艺相比,能效和密度有着20%至30%的提升。
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