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国产55nm NOR闪存量产:寿命不低于10万次

        虽然在 NAND 闪存领域国内还要落后不少,但在 NOR 闪存市场上,国内公司实力不弱,兆易创新是全球第一大 NOR 闪存供应商。

        日前在兆易创新存储器事业部市场经理薛霆接受了电子创新网的采访,透露了 NOR 闪存的最新进展及未来发展情况。

         薛霆表示,“兆易创新的 Flash 目前全部产品线都已经过渡到 55nm 新工艺,我们已经推出了一系列从最小容量 512Kbit 到最大容量 2Gbit 的全系列的 SPI NOR Flash 我们是全球第一家把 SPI NAND Flash 推向世界而且量产的公司。

        薛霆提到,兆易创新 “3 年前就开始推动 55nm 工艺研发, 经过 3 千片以上 wafer 的磨合,把 55nm 做到了可以大规模量产。

        目前兆易创新 55nm 的产品第一,工艺上更先进,每一颗的体积更小,功耗上也比 65nm 降低了 30% 左右。从功耗到面积都带来了更多的节省,给客户也带来了更有性价比的产品。

        NOR 闪存除了 PC 、笔记本、服务器要用之外, 5G 基站、路由、汽车、机顶盒、 TWS 无线耳机等产品也要用,这些市场对闪存的可靠性要求极高。

        薛霆提到, 比如 5G 基站中,往往需要至少 10 万次擦写, 20 年的数据保证时间,这些也正好是兆易创新擅长的。

        去年 7 月份,兆易创新宣布推出国内首款容量高达 2Gb 、高性能 SPI NOR Flash——GD25/GD55 B/T/X 系列产品,该系列可提供 512Mb 2Gb 的不同容量选择,支持高速 4 通道以及兼容 JEDEC xSPI Xccela 规格的高速 8 通道,主要面向需要大容量存储、高可靠性与超高速数据吞吐量的工业、车载、 AI 以及 5G 等相关应用领域。

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  【来源:快科技】【作者:宪瑞】

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