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海力士开始大规模生产世界首个128层4D NAND

[PConline 资讯]据外媒报道称,海力士公司(SK Hynix Inc.)近日宣布,它已经开发并开始大规模生产世界上第一个128层1 Tb (Terabit) TLC(三层单元)4D NAND闪存,距离该公司去年发布96层4D NAND闪存仅8个月。

据介绍,128层的1Tb NAND芯片提供了业界最高的垂直堆叠,拥有3600多亿个NAND单元,每个单元在一个芯片上存储3比特。为此,海力士应用创新技术,如“超均匀垂直蚀刻技术”、“高可靠性多层薄膜细胞形成技术”和超快速低功耗电路设计以实现自己的4D NAND技术。

新产品为薄层色谱NAND闪存提供了业界最高的1Tb密度,包括海力士在内的许多公司已经开发了1 Tb QLC(四级细胞)NAND产品但海力士是第一个将1 Tb TLC NAND闪存商业化的公司。TLC在NAND闪存市场中占有85%以上的份额,具有良好的性能和可靠性。

该公司4D NAND最大的优势是芯片尺寸小,这使得海力士能够实现超高密度NAND闪存。该公司在2018年10月宣布了创新的4D NAND,它结合了3D CTF(电荷撷取闪存)设计和PUC 技术。

在相同的4D平台和工艺优化下,海力士在现有96层NAND的基础上又增加了32层,使制造工艺总数减少了5%。与以往技术转移相比,96层NAND向128层NAND过渡的投资成本降低了60%,大大提高了投资效率。与该公司96层4D NAND相比,128层1Tb 4D NAND使每块晶圆的产能提高了40%。

海力士的128层4D NAND闪存将从今年下半年开始发货,同时继续推出各种解决方案。该产品采用单芯片四平面架构,数据传输速率达到1400 Mbps(兆比特/秒),传输速率1.2 V,支持高性能、低功耗的移动解决方案和企业SSD。

海力士计划明年上半年为主要旗舰智能手机客户开发下一代UFS 3.1产品。拥有128层1Tb NAND闪存,比起512Gb NAND产品,1Tb (Tb)产品所需的NAND芯片数量将减少一半,这也是目前智能手机的最大容量。它将为客户提供一个移动解决方案,在1毫米薄的封装中,功耗降低20%。

该公司还计划在明年上半年开始大规模生产一个2 TB的客户端SSD,带有内部控制器和软件。云数据中心的16 TB和32 TB硬盘( (NVMe)也将于明年发布。

海力士执行副总裁、全球销售和营销主管郑勋(Jong Hoon Oh)表示,“海力士凭借这款128层4D NAND芯片,确保了其NAND业务的基本竞争力,凭借这款产品,凭借业界最好的堆积和密度,我们将在合适的时间为客户提供多种解决方案。”海力士正在开发下一代176层4D NAND闪存,并将继续通过技术优势增强其NAND业务的竞争力。

文章编译来源: Techpowerup】【PConline 编译:Tina

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