IBM采用32纳米新技术 高性能低功耗

　　IBM及其半导体发展合作伙伴计划采用英特尔Penryn系列芯片上使用的突破性的32纳米技术。

　　这种技术的制程采用High k/Metal Gate（高介电质金属闸极，简称HKMG）制造而成，并且取代了芯片中的二氧化硅。相比45纳米技术，32纳米技术更可以提高性能表现并且降低能耗。

　　英特尔在1995年就已经开始研究这种新型制造工艺，因为当时它已经预测到了硅芯片处理器的末路。目前，HKMG制造工艺已经成为英特尔的竞争优势之一，但是许多半导体厂商也可以从中得利。

　　IBM及其合作伙伴，其中包括特许半导体、飞思卡尔、英飞凌、三星、意法半导体以及东芝，联合继续研发32纳米芯片技术。

　　IBM微电子的HKMG技术发展高级经理Mukesh Khare表示，现在IBM已经可以开始接受订单，并且预计将在2009年开始供货。IBM将会和所有的合作伙伴共享该技术，包括AMD公司在内。Mukesh Khare在接受网媒InternetNews.com采访时表示：“这个过程将会相当的公开，我们的合作伙伴都可以参与设计处理器，而不仅仅是制造。并且从45纳米制造工艺转向32纳米将会变得相对容易。”

　　IBM称，在同样电压的情况下，32纳米技术的芯片比45纳米的性能提升了35%，并且功耗降低了30-50%。

　　市场调研公司Pathfinder Research的Fred Zieber在接受InternetNews.com采访时表示，相当多的厂商参与研究使得本次合作意义深刻，并且可以让例如三星这样的厂家普遍受益，并且可以更加快速的普及32纳米技术，让消费者最终体验到性能的改进、功耗的减少和芯片尺寸的变小。