佳能宣布发售新一代i线步进式光刻机：性能大增

12月7日， 日本佳能宣布将于2023年1月上旬发售面向后道工艺的半导体光刻机新产品——i线步进式光刻机“FPA-5520iV LF2 Option”。

据了解，在半导体芯片的制造工艺中，光刻机负责“曝光”电路图案。在曝光的一系列工艺中，在硅晶圆上制造出半导体芯片的工艺称为前道工艺。

保护精密的半导体芯片不受外部环境的影响，并在安装时实现与外部的电气连接的封装工艺称为后道工艺。

佳能介绍，新款i线步进式光刻机通过0.8μm的高解像力和拼接曝光技术，使100 x 100mm的超大视场曝光成为可能，从而实现2.5D和3D技术相结合的超大型高密度布线封装的量产。