在EUV光刻工艺上,Intel此前承认他们过去翻错了,让台积电、三星抢先了,毕竟Intel是最早研发EUV工艺的半导体公司之一,现在Intel可以追上来了,今年底就首次使用EUV的Intel 4工艺就会规模量产。
Intel 4就是之前的Intel 7nm工艺,也是Intel首次使用EUV光刻机, 高性能库的晶体管密度可达1.6亿晶体管/mm2,是目前Intel 7的2倍 ,高于台积电的5nm工艺的1.3亿晶体管/mm2,接近台积电3nm的2.08亿晶体管/mm2。
Intel官方对Intel 4工艺的进度一直很乐观,之前多次说过今年底投产,不过到底是什么级别的生产?了解半导体玩家知道,风险试产、小规模生产及大规模量产是完全不同的。
最新消息显示,Intel 4工艺现在已经到了大规模量产(high volume)阶段,意味着Intel在商业生产上没问题了。
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