Intel承认在EUV光刻上犯错：当年太自信

最近几年，台积电及三星在半导体工艺上超越了Intel，后者在14nm节点之前都是全球最先进的半导体公司，然而在10nm节点面临各种困难，给了对手可乘之机。

Intel在这个过程中是如何被超越的？CEO基辛格日前接受了采访，特别提到了Intel在EUV光刻工艺上的选择错误。

在EUV技术研发上，Intel是全球重要推手，ASML研发EUV光刻机也得到了Intel的不少帮助， 但是Intel在10nm节点没有选择EUV光刻，而是尝试了新的SAQP四重曝光技术，它们的目标是不依赖EUV光刻机也能生产先进工艺。

基辛格表示，当初这个目标是很好的，然而SAQP曝光工艺非常复杂，成本高，随着时间的推移，Intel站在了EUV错误的一边， 基辛格表示当时应该至少有一个并行的EUV战略才对。