Intel奇迹上演：2年内EUV工艺超越量产多年的台积电、三星

Intel以往是全球最先进芯片工艺的领导者，然而在14nm到10nm节点之间遇到了问题，导致台积电、三星追赶上来了，并且率先量产了EUV工艺，不过Intel也在努力反超，CEO制定的路线图意味着他们只要2年就能实现EUV工艺赶超台积电、三星的计划。

Intel目前量产的工艺是Intel 7，从明年的14代酷睿开始进入Intel 4工艺，这是Intel首个EUV工艺，之后的Intel 3工艺则是在Intel 4基础上改进。

2024年上半年Intel会量产20A工艺，原定2025年量产的18A工艺也提前到了2024年下半年，这两代工艺会放弃FinFET晶体管工艺，首次进入埃米级工艺， 用上Intel的两大黑科技技术，也就是RibbonFET和PowerVia， 前者是GAA晶体管的Intel版，后者是Intel首创并独有的背面供电技术。

按照Intel的计划， 这个路线图意味着他们在2023-2024年的1-2年内就会实现三代EUV工艺量产，而且技术水平足以超过台积电重返第一的。