三星在6月底率先宣布量产3nm工艺,不仅抢先台积电,而且技术上也成功超越——三星3nm用上了GAA晶体管技术,台积电还在用FinFET工艺,所以三星在3nm节点上还是进步很大的。
根据三星的信息,目前量产的是3nm GAE工艺, 够降低45%的功耗,减少16%的面积,并同时提升23%的性能。
第二代的3nm GAP工艺可以降低50%的功耗,提升30%的性能,同时面积减少35%,效果更好,预计2024年才能量产。
三星虽然在进度上领先了一次,但三星的麻烦在于没有大客户支持,首发3nm的是一家国内的矿机芯片厂商,产量不可能很大,双方的合作更多地是象征意义。
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