SK海力士冲击238层闪存：国产只差一步

日前， 美光全球第一个宣布了232层堆叠的NAND闪存 ，全球首家突破200层，已经投入量产。

新闪存走的还是TLC，首次引入6个平面，存储密度创新高14.6Gb/mm2，2.4GB/s IO速度提升50％，读取带宽提升785％，写入带宽提升10％，封装面积减小28％，还首发支持NVLPDDR4内存。

不过只过了两天， 韩国闪存巨头SK海力士就宣布，计划今年内试产238层的NAND闪存，并在明年上半年量产，比美光多了8层。

SK海力士没有透露238层闪存的技术细节，只是说各家的技术路线图、产品发布节奏不同，SK海力士的首要目标是实现行业最高的盈利水平。