国产闪存跳级式发展：明年追上232层 与三星技术差距只有1年

昨晚美光公司宣布量产了232层闪存，这是全球首个突破200层的闪存，是目前速度最快、密度最高的TLC闪存，接下来三星、恺侠、西数、SK海力士的200+层闪存也会陆续量产。

在闪存行业，国内的厂商长江存储也在奋起追赶，而且他们采取的策略不同，是跳级式发展，中间会越过一些过渡性的闪存，量产64层闪存之后就进入了128层，跳过了中间的96层闪存。

目前长江存储生产的闪存主力是128层，今年下半年将进一步提升到192层，200+层以上的闪存也在开发中， 最快2023年底就能看到232层闪存，慢一点的话也会在2024年搞定。

如果明年看到国产的232层闪存， 那意味着从技术上来说国产闪存与三星、美光、SK海力士等公司的差距只有1年左右， 提升的非常快。