3nm弯道超车台积电之后 三星2nm工艺蓄势待发：3年后量产

在6月最后一天，三星宣布3nm工艺正式量产，这一次三星终于领先台积电率先量产新一代工艺，而且是弯道超车，后者的3nm今年下半年才会量产。

根据三星官方介绍，在3nm芯片上，其放弃了之前的FinFET架构，采用了新的GAA晶体管架构，大幅改善了芯片的功耗表现。

与5nm相比，新开发的3nm GAE工艺能够降低45%的功耗，减少16%的面积，并同时提升23%的性能。

第二代的3nm GAP工艺可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同时面积减少35%，效果更好。