比QLC闪存渣几倍 铠侠研发7bit/cell闪存：零下200度低温运行

对于NAND闪存，大家都知道SLC、MLC往后的TLC、QLC闪存存在性能越来越低、错误率越来越高的问题，但是容量更大，所以闪存厂商一直在研发更多的闪存，铠侠的研究已经到了7bit/cell级别，需要在零下200度的低温环境下才能试验。

对于MLC闪存，有必要先说一些基础知识，实际上SLC之后的都应该算作MLC闪存，闪存的类型是按照cell单元存储的电荷位数来判定的，大家所说的MLC实际上是2bit/cell闪存，TLC是3bit/cell，QLC则是4bit/cell，在下面的是PLC闪存，5bit/cell。

铠侠等闪存巨头的研究更深入，去年铠侠就公布过6bit/cell闪存的研究，也就是HLC闪存，今年的IMW 2022会议上，铠侠又公布了7bit/cell闪存的研究成果。

不过7bit/cell闪存现在还没正式命名，倒是再下一代的8bit/cell的名字有了，叫做OLC闪存。