与台积电、三星相比, Intel 这几年在半导体工艺上落后跟 EUV 工艺量产有关, Intel 之前认为 EUV 不成熟,并不急着上马 EUV 光刻机,结果被台积电三星反超, Intel 会在今年下半年的 Intel 4 工艺上使用 EUV 光刻机。
Intel 在当前的 EUV 光刻工艺上吃亏了,但是接下来他们追赶的步伐可要加快了, Intel 把赌注押在了新一代 High NA EUV 光刻机上, NA 数值孔径从目前的 0.33 提升到 0.55 ,该数字越大, EUV 光刻机的分辨率越高,适合 3nm 以内的先进工艺。
ASML 的新一代 EUV 光刻机型号为 EXE:5200 , Intel 这次会成为首发用户,抢下了第一台 0.55 NA 的 EUV 光刻机, 而且首批 6 台中 Intel 也占了大头,台积电三星会慢一波。
升级到 NA 0.55 的 EUV 光刻机技术难度也更大,光是价格就翻了一两倍,相比目前 1.4 亿美元一台的价格,新一代 EUV 光刻机的价格要 4 亿美元左右,约合人民币 26 亿元了。
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