机构：国产DRAM内存芯片和三星的技术差距是5年

数字经济时代，芯片扮演着重要角色。得益于人才聚集、产业升级、政策扶持等，我国的半导体产业正在蓬勃发展，并不断拉近与先进地区、企业的差距。

日前，韩国研究机构OERI在报告中称，估计韩企和中国厂商在DRAM芯片的技术差距已缩短至5年。

具体来说， 三星和SK海力士计划在年底前投产第五代10nm级（1b或者说12nm）内存芯片，国产DRAM代表企业合肥长鑫今年的打算则是第二代10nm（1y或者说16/17nm）。

一般而言，DRAM每一代的演进时间是2年到2年半。