美光展望2028年推出垂直堆叠HBM与边缘推理内存 提升带宽及能效

美光在2026年度技术网络研讨会上，对DRAM、泛HBM、NAND与SSD的未来发展进行了展望，重点关注堆叠集成的泛HBM内存产品。

据悉，美光预计在标准HBM5面世的2028年，还将推出两种新型3DS内存，分别是vHBM和vEIM。vHBM作为3D集成版本的HBM，可缩短数据通信路径，提升带宽效率并降低能耗，同时能与标准2.5D HBM共存。

vEIM在结构上与vHBM类似，但针对边缘推理场景设计，初代产品目标实现2TB/s带宽和小于1pj/bit的能效。为实现这两种新型内存，美光将推进相关3D堆叠技术。