国产存储实现重大突破！长鑫科技第五代技术平台正式量产

【太平洋科技快讯】据证券时报报道，在 9 月 20 日举办的 2026 世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台 ( G5 ) 正式量产，长鑫存储高端存储技术取得突破。

据介绍，长鑫第五代平台将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米，存储器电容深宽比达 45:1，核心动能区高度压缩至 6762 纳米。相较上一代技术，新平台存储密度实现大幅增长，同等条件下单片晶圆产出提升 50% 以上。依托该平台研发的 24GB LPDDR5X 内存产品现已进入量产阶段，将全面进入国内主流旗舰手机。

长鑫存储公开资料显示，其 LPDDR5X 产品线包含颗粒、芯片、模组多种产品形态。存储颗粒提供 12Gb、16Gb 规格；芯片方案覆盖 12GB、16GB、24GB；LPCAMM 模组版本提供 16GB、32GB 容量选择。

速率性能上，该系列支持 8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps 三档速率，同时向下兼容 LPDDR5 规范，给终端设备留出灵活的迭代升级空间。