长鑫被曝准备进入闪存市场，存储产业或将迎来新变局

【太平洋科技快讯】据路透社援引三位知情人士消息，国内 DRAM 龙头长鑫存储计划布局 NAND 闪存赛道，将在北京新建工厂搭建 NAND 闪存研发产线，同时设立专门研究院推进 NAND 闪存相关技术研发项目。

报道称，长鑫存储已经就 NAND 闪存产品和部分客户开展前期沟通，有一家初创企业有意采购其 NAND 芯片，用于 AI 系统、超级计算机相关存储硬件，报道并未披露该客户具体身份。现阶段这条研发产线的投产时间尚未对外明确，长鑫能否从研发试产过渡到大规模商业化量产，目前也没有确定结论。

长鑫存储当前主营 DRAM 内存业务，在合肥、北京拥有三座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，国内产能排名第一，全球位列第四。长鑫自身 DRAM 业务增长势头显著，2026 年第二季度 DRAM 业务营收达 146.24 亿美元，折合人民币约 983 亿元，环比大涨 99.3%，市场占有率由一季度 7.6% 提升至 9.5%。

此番布局 NAND 闪存，代表长鑫存储由 DRAM 业务，向着存储全品类方向拓展。

TrendForce 集邦咨询统计数据显示，2026 年第二季度全球 NAND 闪存市场由海外三家厂商占据主要地位，三星以 29.3% 份额排在首位，SK 海力士、美光分列二三位。

国内 NAND 赛道已有长江存储实现技术突破，依托自研 Xtacking 架构深耕 3D NAND 领域，2026 年一季度营收同比实现翻倍，全球市场份额约 12%。长鑫入局之后，国内存储产业的竞争格局或将迎来新变化。