中国存储全面追击！韩国承认：DRAM差2年、NAND只差1年

快科技9月16日消息 ， 韩国半导体产业协会首次量化了中国存储芯片与韩国的技术差距：NAND闪存仅落后1年，DRAM落后2年，HBM落后3年 ， 此前这一差距长期维持在5年左右。

NAND方面，三星和SK海力士2025年开始量产300层NAND，长江存储同期量产270层，到2027年，长江存储将跃升至400层，与三星和SK海力士的差距收窄至1年左右。

DRAM方面，三星和SK海力士2023年开始量产DDR5，长鑫存储 2025年才跟上，差距约2年，但长鑫存储已经在量产LPDDR5X，并启动了LPDDR6的生产。

HBM是差距最大的领域，目前落后约3年，长鑫存储刚启动HBM3E模块的试产，良率仅约25%，在TSV硅通孔工艺上仍面临挑战。

值得注意的是，长鑫存储采用长江存储的X-Stacking 3D NAND方案在G4工艺上构建HBM3E堆叠，不依赖传统微凸点，而是利用长江存储的铜铜混合键合技术，将晶圆间铜互连直接合并，缩短堆叠DRAM层之间的电路路径。

这一架构的关键优势在于，长鑫存储和长江存储无需EUV光刻机就能制造出有竞争力的HBM产品。

产能扩张方面，长鑫存储正以每月30万片晶圆的规模急速扩张，通过三座月产能约10万片的300mm DRAM晶圆厂在今年底达成目标。到2026年底，长鑫存储还将拥有月产5万片的HBM专用产能。

此外，长鑫存储正在上海和合肥各建一座新厂，建成后总产能将提升至月产60万片，有望在2030年按产量超越美光。

长江存储方面，产能预计在2027年初达到月产30万片，部分产能用于LPDDR，两座新厂2027年投产后，到2028年总产能将达月产45万至50万片，而三星到2027年底NAND产能为月产35万片。

工艺技术上，长鑫存储正在G4 DRAM工艺（普遍认为属于1z节点）和LPDDR5X产品上应用HKMG（高K金属栅极）技术，用氧化铪（HfO?）替代传统硅基绝缘材料，降低漏电和废热，提升能效并为更高频率铺路。

HKMG的应用意味着长鑫存储即将从1z节点向更先进的1a节点过渡，而其下一代15nm G5 DRAM工艺已在开发中。