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Intel 18A首发High NA EUV工艺意义重大:技术领先台积电4年

快科技7月17日消息,日前ASML在财报会议上出乎意料地宣布了一个好消息—— Intel的18A工艺已经率先量产了High NA EUV光刻工艺,这还是该技术的全球首次。

Intel确实是全球最早购买High NA EUV光刻机的,但Intel之前的路线图中,只有到14A工艺节点才会应用该技术,后者2028年才会试产,2029年才会量产。

如今High NA EUV的量产提前了三年之多,确实让人想不到,虽然该工艺只是在18A工艺的部分层中量产,还不会取代当前的low NA EUV光刻机。

那Intel率先量产High NA EUV技术有什么意义?还真不是纯粹作秀,Intel公布的信息显示,High NA EUV光刻层的成本比当前的EUV成本还低, 后者需要40多个步骤才能完成的曝光过程只需要用High NA EUV光刻机1次就能完成。

再往别的方面来看,Intel在18A工艺上就率先使用High NA EUV工艺生产,可以为下一代的14A工艺排雷,提前部署可以积累经验,到了14A工艺大规模量产High NA EUV工艺的时候就能快速产能爬坡。

14A工艺对Intel来说可能比18A工艺还要重要,不光是技术迭代,14A是Intel争取苹果、谷歌、微软、亚马逊、Meta等公司代工订单的核心一战,这一代再拿不下大客户的订单,Intel在代工市场真的没什么机会了,哪怕美国政府再强制输血也没用。

此外,在High NA EUV工艺上,Intel也能完成对台积电的一次超越——过去十多年中Intel为什么在先进工艺上落后,很多人不知道的是Intel之前对EUV量产的进度非常保守,一直希望用DUV+SAQP多重图案之类的技术继续迭代,结果被台积电用率先量产EUV工艺彻底赶超了。

如今风水轮流转,台积电对High NA EUV光刻机意兴阑珊,A12工艺之前都不会用,也就是2030年之前都不会量产High NA EUV工艺, 而Intel这波量产直接提前了4年,实现了一次对台积电的技术领先。

至于双方这次押注到底谁能笑到最后,现在说还为时过早,等着看吧。

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