据悉,大阪公立大学研究团队开发出一种新型可编程热器件,其非互易因子在特定波长下可接近0.9。
该器件由磁光半导体砷化铟与相变材料锗锑碲构成,能在仅3度的入射角下实现高效非互易热行为,并具备非易失性存储能力。
该技术有望突破传统热辐射定律限制,为AI芯片散热、辐射制冷及热光伏能量转换等领域提供新的热管理工具。
据悉,大阪公立大学研究团队开发出一种新型可编程热器件,其非互易因子在特定波长下可接近0.9。
该器件由磁光半导体砷化铟与相变材料锗锑碲构成,能在仅3度的入射角下实现高效非互易热行为,并具备非易失性存储能力。
该技术有望突破传统热辐射定律限制,为AI芯片散热、辐射制冷及热光伏能量转换等领域提供新的热管理工具。
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