存储三巨头被告了：借HBM转型操纵内存价格，四年DRAM价格上涨约700%

【太平洋科技快讯】据报道，6月25日，三星、SK海力士、美光三家存储龙头企业在美国加州联邦法院遭遇集体诉讼，原告指控三家厂商串通操控DRAM定价，人为推高内存产品价格。

原告约翰·特里诺代表近年来购买含传统DRAM产品的消费者和企业提起诉讼。诉状指出，三家企业依托自身在全球DRAM市场的垄断优势，借加码HBM高端存储转型为由，缩减DDR3、DDR4等传统内存产能，刻意制造供给紧张局面。

诉状阐述了产能挤压的核心逻辑：HBM芯片晶圆占用面积远高于普通DDR芯片，单颗HBM3E芯片所需晶圆面积约为DDR产品两倍，量产HBM会大量消耗晶圆产能。数据显示，2026年HBM将占用全球25%的DRAM晶圆产能，且HBM市场需求年增速达70%；全年DRAM总晶圆产能预计提升14%，但传统DDR内存分配产能仅增长10%，产能分配差值直接造成消费级内存供货缺口。

原告方表示，三家厂商完全有条件同步扩充传统DRAM产能平衡市场供给，却集体倾斜产能投向盈利空间更高的HBM产品，构成协同减产、操纵市价行为。 受该行为影响，近四年DRAM价格涨幅接近700%，苹果上调Mac、iPad全系产品售价(详情可查看此前太平洋科技的报道内容：《库克口中百年一遇芯片危机来袭！苹果上调Mac、iPad等产品售价，iPhone未涨价》)，成为存储涨价向下游终端传导的典型案例，也被纳入本次诉讼关键事实依据。

诉状还提及三家企业过往反垄断处罚记录：2005年三星因参与DRAM价格操纵，向美国司法部认罪并缴纳3亿美元罚金，为美国反垄断史上第二笔高额罚金；同年SK海力士认罪罚款1.85亿美元，叠加尔必达罚金，该案总处罚金额达7.31亿美元，多名企业相关高管被判监禁。原告认为，三家企业如今只是沿用当年协同控产、调控报价的手段，只是以“HBM产能转型”作为新说辞。

长期来看，HBM持续挤占传统DRAM晶圆产能的趋势难以逆转，三大厂商把持HBM市场形成寡头格局，依旧掌握产能分配主导权，本次诉讼能否调整全球存储市场供需与定价格局，后续仍有待观察。