英特尔与联电宣布合作开发12nm及3nm芯片工艺 旨在挑战台积电市场主导地位

据悉，英特尔与联电将合作开发12nm及3nm芯片工艺，旨在挑战台积电在代工市场的主导地位。联电作为全球第四大晶圆代工厂，将借此首次涉足前沿制程。

双方计划在英特尔位于亚利桑那州的Fab 52工厂集中生产，联电无需自行购置昂贵的极紫外光刻机等核心设备。

据悉，12nm工艺将率先落地，其工艺设计套件将于今年交付客户，计划于2027年初完成流片并在年底进入量产，主要服务于物联网、WiFi芯片等市场。

在3nm工艺方面，双方计划开发一款性能对标台积电3nm的制程节点，以帮助英特尔在全球代工市场获取更大份额。合作模式与12nm类似，联电将利用英特尔的制造能力实现技术跃迁，而英特尔则借力联电的客户资源提升产能利用率。