据悉,三星在台北国际电脑展上展示了全球首款HBM5内存及全新的HPB散热架构。该技术面向高密度、高速的HBM堆栈,核心目标是降低散热压力,以支撑AI数据中心对高带宽内存的需求。
HPB架构在封装内部加入独立热柱,可将堆叠内部热量导向封装上方或侧边的散热器。其重点优化了D2D PHY区域,即HBM基底芯片与GPU之间的高速连接层,以应对该区域因堆叠变高、速度加快而快速上升的温度和功耗密度。
三星表示,HPB已在HBM4E上完成部署验证,HBM4E的首批12层样品速率达14Gbps,后续可扩展至16Gbps,每堆叠带宽为3.6TB/s。同时,HBM5的基底芯片工艺将从4nm转向三星自家的2nm工艺。公司高管强调,在AI系统中,热管理、数据处理效率和封装稳定性已与内存性能同等关键。


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