SK海力士宣布HBM4E内存开发顺利 计划2026年下半年出样2027年量产

SK海力士在2026年第一季度财报电话会议上透露，其HBM4E内存开发进展顺利，计划于2026年下半年开始供应样品，并将在2027年实现量产。据悉，该产品的良率和量产能力已达到成熟阶段，基础裸片部分正在基于最优技术进行开发以满足客户性能要求。

SK海力士代表表示，谷歌TurboQuant等数据压缩技术的设计目的是提升内存应用效率而非减少内存用量。随着AI服务的普及和多样化发展，内存需求将持续增长。

在闪存方面，SK海力士计划在2026年将超过一半的韩国本土产能转换为321层V9 NAND，实现从176层V7到V9的跨越式进步。未来产能扩充将重点推进龙仁半导体集群建设，同时灵活应对全球内存需求的中长期增长。