英特尔与马斯克联手打造Terafab芯片项目 挑战台积电霸主地位

英特尔近日宣布加入马斯克主导的Terafab芯片制造项目，该项目由特斯拉、SpaceX和xAI联合投资200亿至250亿美元，旨在打造美国最大的芯片制造设施。英特尔CEO陈立武表示，与马斯克的合作将推动芯片制造技术的范式转变。

Terafab项目计划每年生产消耗1太瓦电力的AI芯片，工艺节点瞄准2纳米。据悉，马斯克已开始从台积电和三星挖角资深工程师，以支持该项目。英特尔将为Terafab提供其18A工艺节点技术，这是目前美国本土最先进的芯片制造工艺。

然而，英特尔与台积电在良率方面存在显著差距。台积电N2工艺初期良率为65%至70%，而英特尔18A工艺初期良率仅为55%至60%。英特尔预计到2027年才能达到行业标准良率水平。

马斯克认为，垂直整合是解决芯片供应问题的关键。Terafab将整合芯片设计、制造、封装等环节，以缩短迭代周期并提升良率。这一模式类似于特斯拉的超级工厂，旨在通过规模效应降低成本。

分析师指出，英特尔加入Terafab是其代工业务的重要机会。尽管英特尔代工业务目前规模较小，但通过与马斯克的合作，有望在未来改变其商业版图。然而，挑战台积电的市场主导地位仍面临巨大困难。