【太平洋科技快讯】4 月 7 日,三星电子发布 2026 年第一季度未经审计业绩指引,单季合并营业利润预计达到 57.2 万亿韩元,约合人民币 2611 亿元,同比增幅高达 755%。这一数据不仅刷新了三星自身的季度盈利纪录,也创下韩国企业史上最强单季盈利表现,利润规模已经超过其 2025 年全年 43.6 万亿韩元的营业利润。
此前伦敦证券交易所集团汇总 29 位分析师的平均预测值为 40.5 万亿韩元,花旗银行乐观预期也仅 51 万亿韩元。本季度三星合并销售额约 133 万亿韩元,同比增长 68.1%,整体盈利显著高于市场预期。
本轮业绩爆发的核心驱动力,来自 AI 服务器需求激增带来的存储芯片量价齐升。单台 AI 服务器对 HBM 与 DRAM 的需求量是普通服务器的数倍,英伟达、AMD 等算力厂商持续抢购产能,推动全球存储芯片供需持续紧张。根据 TrendForce 数据,2026 年一季度 DRAM 合约价格环比上涨 90% 至 95%,NAND 闪存价格同步上涨 55% 至 60%。作为全球存储芯片龙头,三星设备解决方案部门一季度营业利润预计突破 42 万亿韩元,占总利润七成以上,其中 HBM 业务营收同比增长超 300%,HBM4 量产推进顺利,与竞争对手的技术差距逐步缩小,通用 DRAM 与 NAND Flash 同步量价齐升,产能结构优化效果显著。
而在存储芯片的火热需求下,三星电子已与主要客户完成第二季度 DRAM 价格谈判并签署供货合同,价格较第一季度再上涨约 30%。
对比一年前,三星还处于存储周期低谷,受 HBM 产能不足、市场份额落后等影响业绩低迷,管理层曾就此公开致歉。2025 年全年三星营业利润回升至 43.6 万亿韩元,第四季度创下 20.07 万亿韩元的当时季度新高,而 2026 年一季度盈利已达到上一季度的近三倍、去年同期的 8.5 倍,完成了明显的业绩反转。
目前多家国际机构持续看好存储行业的高景气周期。花旗银行预计三星 2026 年全年营业利润有望达到 310 万亿韩元,同比增长超六倍,高盛、野村证券等均上调目标价并重申买入评级。
机构普遍预计,二季度 DRAM 价格将再上涨 58% 至 63%,NAND 闪存涨幅可达 70% 至 75%,AI 推理需求持续旺盛将支撑存储价格维持高位,这一轮存储芯片超级周期仍将延续。


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