追赶台积电！Rapidus 2026年内全面启动1.4nm研发，目标2029年量产

【太平洋科技快讯】近日，日本先进芯片制造企业 Rapidus 总裁兼首席执行官小池淳義对外披露，公司正加快推进先进半导体制程研发，计划在1nm 工艺节点上与台积电的技术差距缩小至约 6 个月。

作为日本推动本土高端芯片制造自主化的核心企业，Rapidus 由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠、软银等八家企业于 2022 年联合出资成立。

目前 Rapidus 已在日本北海道千岁市建造了创新集成制造工厂（IIM-1），目标是2027年实现 2nm 芯片量产。公司同时计划在 2027 财年（2027 年 4 月 —2028 年 3 月）开建第二座晶圆厂，持续向 1.4nm、1nm 等更先进制程延伸。

据了解，台积电的1.4nm和1nm工艺可能会部署于中国台湾中部科学园区，项目总投资约 490 亿美元，规划建设四座晶圆厂。其中前两座晶圆厂聚焦 1.4nm 工艺，计划 2028 年下半年量产；后续将推进至 1nm 节点。

Rapidus 拟定的技术路线为：今年启动 1.4nm 工艺开发，2029 年实现量产，时间线与三星相近。若要在 1nm 节点与台积电保持 6 个月以内差距，Rapidus 需在 2030 年下半年至 2031 年之间实现 1nm 量产。