SK海力士与三星加速HBF技术商业化进程 预计最快明年应用于英伟达产品

SK海力士正与闪迪合作制定HBF标准，计划最早于今年推出采用16层NAND闪存堆叠的HBF1样品。

据悉，三星电子和闪迪计划最快在2027年底或2028年初将HBF技术应用于英伟达、AMD和谷歌的实际产品中。HBM之父金正浩教授表示，HBF研发速度将比HBM更快。

HBF即高带宽闪存，通过堆叠NAND闪存制成。金正浩预测，2至3年内HBF方案将频繁涌现，到2038年左右HBF市场将超过HBM市场。

随着AI需求增长，存储厂商纷纷扩充产能。美光科技拟收购力积电晶圆厂提升DRAM产量，三星电子也将泰勒晶圆厂产能提升至每月5万片晶圆。

HBF存储容量有望达到现有HBM的8至16倍，可能将GPU存储容量扩展至4TB，成为满足AI大模型内存需求的最佳方案。