英特尔展示18A与14A工艺3D封装技术 瞄准AI与数据中心市场

英特尔近日展示了针对高性能计算和AI数据中心的先进封装技术。该技术采用18A-PT和14A/14A-E工艺组合，通过3D堆叠结构实现高性能计算模块与HBM内存的集成。

底层基础晶圆采用Intel 18A-PT工艺制造，引入背面供电技术提升逻辑密度和电源稳定性。主计算Tile则采用14A工艺，两者通过Foveros Direct 3D技术实现垂直互连。

该方案支持HBM3至HBM5内存标准，最高可集成24个HBM位点或48个LPDDR5x控制器，为AI模型处理提供强大内存支持。英特尔还部署了下一代EMIB-T技术解决多芯片通信瓶颈。

此次技术展示不仅是英特尔工程能力的体现，也标志着其代工服务争取外部客户的决心。14A工艺节点将面向第三方客户开放，展现英特尔在制造和封装领域的领先地位。