台积电公布HBM4E内存定制计划 采用N3P制程集成内存控制器

据悉，台积电在荷兰阿姆斯特丹举行的2025年OIP生态系统论坛欧洲场上展示了HBM4E内存定制计划。

台积电将推出名为C-HBM4E的定制HBM产品，采用N3P制程基础裸片集成内存控制器，以满足节省计算芯片面积等需求。

C-HBM4E的Vdd电压将降至0.75V，较HBM4进一步降低功耗。