英特尔宣布18A工艺实现大规模量产 晶体管密度提升30%性能提升15%

11月19日，在2025英特尔技术创新与产业生态大会上，英特尔宣布其18A工艺已在亚利桑那州Fab 52工厂进入大规模量产阶段。

据悉，18A工艺采用全环绕栅极晶体管和背面供电技术，相比上一代工艺，在相同能耗下性能提升15%，晶体管密度提升30%。

英特尔表示，该技术将成为公司未来三代产品的研发基石，目前正基于该技术加速推进后续产品的开发。