据悉,TrendForce集邦咨询最新调查显示,2026年存储产业资本支出整体仍显保守。在DRAM内存领域,三星电子和SK海力士可能小幅扩产,而美光需等待其美国新晶圆厂建成后才能扩产。
NAND闪存方面,铠侠-闪迪和美光将加大投资,但三星和SK海力士则保持现状。预计2026年DRAM产业资本支出同比增长14%至613亿美元,NAND产业资本支出明年增长5%至222亿美元。
整体来看,主要存储厂商的投资重点正在转变,从单纯扩充产能转向其他方向。
据悉,TrendForce集邦咨询最新调查显示,2026年存储产业资本支出整体仍显保守。在DRAM内存领域,三星电子和SK海力士可能小幅扩产,而美光需等待其美国新晶圆厂建成后才能扩产。
NAND闪存方面,铠侠-闪迪和美光将加大投资,但三星和SK海力士则保持现状。预计2026年DRAM产业资本支出同比增长14%至613亿美元,NAND产业资本支出明年增长5%至222亿美元。
整体来看,主要存储厂商的投资重点正在转变,从单纯扩充产能转向其他方向。
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